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三星投资56亿美元建新厂:7nm竞争进入白热化阶段

半导体行业观察 2019-02-20 16:09:51

来源:内容来自腾讯科技和EETIMES,谢谢。


据国外媒体报道,本周三星在韩国本土投资的一家新工厂正式开始破土动工,该工厂主要的任务是为三星生产7nm工艺处理器,为明年Galaxy S10和Galaxy Note 10等旗舰机型大规模量产做准备。据悉,这家工厂投资约56亿美元,同时三星未来还有进一步的扩张计划,因为目前来看7nm工艺至少在几年内都将处于领先的水平。


高通骁龙845移动芯片将与三星Galaxy S9同时亮相,骁龙845芯片内置了高通X20调制解调器,最高下载速度可达1.2Gbps。因此高通在上周发布使用7nm工艺制造的X24调制解调器几乎可以肯定会出现在下一代骁龙855芯片的身上,并且依然有很大可能性与三星Galaxy S10同时亮相。三星表示,从今年开始对7nm芯片进行风险测试,并且在2019年年初开始大规模量产。因此基本上可以判断,这家新工厂就是为了Galaxy S10和Galaxy Note 10生产7nm工艺移动芯片。


消息人士表示,三星的这家新工厂是对台积电7nm芯片产品的回应,后者已经确定会为苹果代工下一代A12处理器,并且使用在2018年发布的新iPhone上。不过目前来看,三星已经投资1.4亿美元采购了10套EUV机台设备,以此来阻碍台积电7nm芯片的生产进度。


因此就算台积电在今年夏天可以开始量产7nm工艺芯片,也很有可能使用第一代光刻技术,至少目前来看,苹果今年的新iPhone与明年三星Galaxy S10相比,在处理器工艺上已经不占优势。


浅谈GF/英特尔/三星与台积电的EUV微影技术和7nm工艺

极紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技术将在未来几年内导入10纳米(nm)和7nm工艺节点。不过,根据日前在美国加州举办的年度产业策略研讨会(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所发布的分析显示,实现5nm芯片所需的光阻剂(photoresist)仍存在挑战。


同时,EUV制造商ASML宣布去年出货了10台EUV系统,今年将再出货20至22台。该系统将拥有或至少可支持每小时生产125片晶圆所需的250W雷射光源。


IC Knowledge总裁Scotten Jones表示:“在7nm采用EUV的主要部份已经到位,但对于5nm来说,光阻剂的缺陷仍然高出一个数量级。”


经过20多年的发展,新的和昂贵的系统均有助于为下一代芯片提供所需的优质特性,并缩短制造时间。Scotten说,这些系统将首先用于制造微处理器等逻辑芯片,随后再应用于DRAM,但现今的3D NAND闪存芯片已经不适用了。


“EUV大幅减少了开发周期以及边缘定位的误差…,但成本降低的不多,至少一开始时并不明显。此外,还有其他很多的好处,即使没什么成本优势,它仍然具有价值。”


Jones预计,ASML将在2019-2020年之间再出货70台系统。这将足以支持在Globalfoundries、英特尔(Intel)、三星(Samsung)和台积电(TSMC)规划中的生产节点。


ones表示,ASML计划将系统的正常运行时间从现在的75%提高到90%,这同时也是微影技术业者最关切的问题。此外,他表示相信该公司将会及时发布所需的薄膜,以保护EUV晶圆避免微尘的污染。


为了开发针对5nm可用的抗蚀剂,“我们有12到18个月的时间来进行重大改善。业界将在明年产出大量晶圆,这将有所帮助。”Jones并估计,到2019年晶圆厂将生产近100万片EUV晶圆,到了2021年更将高达340万片晶圆。


ASML的目标是在2020年时,将其250W光源所能达到的每小时145片晶圆的吞吐量提高到155片/时。ASML企业策略和营销副总裁Peter Jenkins在ISS上指出,该公司已经展示实验室可行的375W光源了。


目前该公司的薄膜已经能通过83%的光线了,至今也以245W光源进行超过7,000次的晶圆曝光测试了。然而,第二代7nm节点在搭配用于250W或更高的光源时,预计还需要一个传输率达到90%的薄膜。


GF、英特尔、三星与台积电的7nm版本

Jones谈话中最有趣的部份内容就是对于10nm、7nm和5nm节点的详细分析。台积电去年秋天通过7nm工艺,目前正使用现有的光学步进器实现量产。他说,Globalfoundries将在今年晚些时候推出类似的工艺。


两家公司计划在明年初量产第二代7nm工艺,采用EUV制作触点和通孔,将15个光学层数减少到5个EUV层。这一工艺可望缩短周期时间,而且不需要薄膜。


Globalfoundries去年六月份宣布在2019年采用EUV实现7nm的计划。Jones“台积电私下告诉客户也计划如此。” Jones说。


芯片制造商可能必须使用30mJ/cm2剂量的抗蚀剂,这高于其目标的20mJ/ cm2。他们还可能必须使用电子束系统检查光罩的缺陷,而不是像EUV系统一样使用13.5mm波长寻找缺陷的光化系统。


Globalfoundries、三星和台积电除了使用触点和通孔外,还计划为不同的7nm版本使用EUV和薄膜来制作1x金属层。这些工艺将提供微缩,并使23层光学层减少到9层EUV。


这正是三星将在明年初推出的首款7nm节点,即7LPP。台积电的7FF+版本,预计将在2019年中期推出,Globalfoundries则将在明年年底推出7LP+。


Jones表示,英特尔目前使用的10nm工艺采用光学步进器实现量产,提供的密度相当于其竞争对手所能实现的最佳7nm版本。他预期英特尔将在2019年采用EUV升级10nm+工艺。


三星和台积电已经在讨论可能在2019年底前提供5nm工艺。他们应该会是第一批使用EUV制造1D金属层的制造商。他说,如果有更好的抗蚀剂出现,这个工艺就能使用EUV减少多达5个切割光罩,让FinFET减少到仅使用1个光罩。


另外,Jenkins表示,ASML已经为支持高数值孔径(NA)的EUV系统完成光学设计部份了,而且整体设计“顺利”。该公司已于2016年底宣布计划在2024年量产该新系统。


尽管EUV是推动半导体产业制造更小芯片的重要里程碑,但预计并不至于颠覆目前的芯片制造设备市场。Jones说,晶圆厂将会持续需要大量的现有资本设备和供应,才能与EUV一起迈向未来的工艺节点。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第1506内容,欢迎关注。

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